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      納米二氧化硅
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      檢驗二氧化硅的方法有幾種?

      2019-05-22 11:40:18

      大家發覺二氧化硅對某些雜質向硅中擴散能起掩蔽作用,使用這一特性和光刻技術造就了硅元器件平面工藝。在生產制造中,由于要重復地開展氧化,因此怎樣在硅晶體表層生長高品質二氧化硅的技術,便成為硅平面工藝的基礎。

      二氧化硅

      為了確保二氧化硅層的品質,能夠選用宏觀經濟和外部經濟的方式開展檢測。宏觀法是用平行面日光燈觀查氧化層表層的品質,外部經濟可選用有機化學腐蝕,隨后根據光學顯微鏡開展觀察。下面介紹一下工藝中常用的方法及出現的問題。

      測量氧化層厚度一般選用二種方式,即比色法和干預法。

      比色法:生產制造中發覺,不一樣厚度的氧化層,展現出不一樣的顏色,伴隨著厚度的提升,顏色從深灰色逐漸變到鮮紅色,當厚度再次提升時,氧化層顏色從藍紫色到鮮紅色規律性轉變,因而大家制取了顏色與厚度中間關聯的表,用于粗略估計氧化層厚度。在氧化標準已定,加工工藝平穩的狀況下,選用這類方式是簡潔明了、便捷的。

      另一種測氧化層厚度的方式是雙光干預法,它是運用氧化層臺階上干涉條紋數量來求氧化層的厚度,其優勢是機器設備簡潔明了,而且測量準確。

      測量氧化層厚度首先要制取氧化層的臺階,在樣照的二氧化硅層上放黑膠或真空泵植物油脂維護一定地區,隨后放進鹽酸中,將未維護的二氧化硅層腐蝕掉,腐蝕時選用稀釋液的鹽酸實際效果不錯,氧化層的臺階較寬,此外時間不適合太長。腐蝕好之后,用二甲苯或甲苯將黑膠擦下去,在沒有腐蝕二氧化硅層的邊沿處展現一臺階,臺階越寬,顯示信息出的干涉條紋,就越清晰,測量也準確。


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